TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 (BZT52B8V2-G RHG)
Part Number: BZT52B8V2-G RHG
Documents / Media: datasheets BZT52B8V2-G RHG
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 8.2V
- Допуск: ±2%
- Мощность: 410mW
- Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 700nA @ 5V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 900mV @ 10mA
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-123
- Исполнение корпуса: SOD-123
Цена по запросу